FEATURES

Niedrige Rauschzahl: 1,8 dB typisch

Hohe Verstärkung: 19,5 dB

Hohe P1dB-Ausgangsleistung: 16 dBm typisch

Einfache Versorgung: 3,5 V bei 80 mA

Ausgang IP3: 28 dBm

50 Ω angepasster Eingang/Ausgang

Selbstvorgespannt mit optionaler Vorspannungsregelung für Ruhestromverbrauch

Kontrolle (IDQ) zu reduzieren.

3 mm × 3 mm, 16-poliger LFCSP: 9 mm²

ANWENDUNGEN

Punkt-zu-Punkt-Funkgeräte

Punkt-zu-Mehrpunkt-Funkgeräte

Militär und Raumfahrt

Test-Instrumente

 

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG

Der HMC902LP3E ist ein Galliumarsenid (GaAs), pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (pHEMT), monolithisch integrierter Mikrowellenschaltkreis (MMIC) Verstärker mit geringem Rauschen (LNA), der selbst vorgespannt ist mit optionaler Vorspannungssteuerung zur IDQ-Reduzierung. Der HMC902LP3E ist in einem bleifreien 3 mm × 3 mm großen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage untergebracht. Der Verstärker arbeitet zwischen 5 GHz und 11 GHz und bietet eine Kleinsignalverstärkung von 19,5 dB, eine Rauschzahl von 1,8 dB und 28 dBm Ausgangs-IP3, während er nur 80 mA von einer 3,5-V-Versorgung benötigt.

Die P1dB-Ausgangsleistung von 16 dBm ermöglicht es dem LNA, als Treiber für einen lokalen Oszillator (LO) für symmetrische, I/Q- oder bildunterdrückende Mischer zu fungieren. Der HMC902LP3E verfügt außerdem über Eingänge/Ausgänge, die im Gleichstrom blockiert und intern auf 50 Ω angepasst sind, was ihn ideal für Mikrowellenradios mit hoher Kapazität und VSAT-Anwendungen (Very Small Aperture Terminal) macht.

 

ARBEITSTHEORIE

Der HMC902LP3E ist ein GaAs, MMIC, pHEMT, LNA. Der HMC902LP3E Verstärker verwendet zwei Verstärkungsstufen in Serie. Das Grundschaltbild des Verstärkers zeigt einen LNA, der im Bereich von 5 GHz bis 11 GHz arbeitet und eine hervorragende Rauschzahl aufweist.

Der HMC902LP3E verfügt über Single-Ended-Eingangs- und -Ausgangsports mit Impe-danzen, die über den Frequenzbereich von 5 GHz bis 11 GHz nominell gleich 50 Ω sind. Folglich kann der Baustein direkt in ein 50 Ω-System eingefügt werden, ohne dass eine Impedanzanpassungsschaltung erforderlich ist. Das bedeutet auch, dass mehrere HMC902LP3E-Verstärker ohne externe Anpassungsschaltungen kaskadiert werden können.

Die Eingangs- und Ausgangsimpedanzen sind gegenüber Schwankungen der Temperatur und der Versorgungsspannung so stabil, dass keine Kompensation der Impedanzanpassung erforderlich ist.

Um einen stabilen Betrieb zu gewährleisten, ist es wichtig, dass Sie sehr niederinduktive Masseverbindungen zum Gehäuseerdungspad herstellen. Um eine optimale Leistung des HMC902LP3E zu erzielen und Schäden am Gerät zu vermeiden, sollten Sie die absoluten Höchstwerte nicht überschreiten.

 

INFORMATIONEN ZU DEN ANWENDUNGEN

Der HMC902LP3E hat VGG1 und VGG2 optionale Gate-Bias-Pins. Wenn diese Pads offen gelassen werden, läuft der Verstärker im Self-Bias-Betrieb mit typisch IDQ = 80 mA. Die folgende Abbildung zeigt die grundlegenden Anschlüsse für den Betrieb des HMC902LP3E in der Betriebsart self biased. Sowohl die RFIN- als auch die RFOUT-Ports des HMC902LP3E verfügen über chipinterne DC-Blockkondensatoren, so dass keine externen AC-Kopplungskondensatoren erforderlich sind.

Wenn Sie die optionalen VGG1- und VGG2-Gate-Bias-Pins verwenden, verwenden Sie die empfohlene Bias-Sequenzierung, um Schäden am Verstärker zu vermeiden.

Die empfohlene Bias-Sequenz beim Einschalten ist wie folgt:

  1. Verbinden Sie mit GND.
  2. Setzen Sie VGG1 und VGG2 auf -2,0 V.
  3. Setzen Sie VDD1 und VDD2 auf 3,5 V.
  4. Erhöhen Sie VGG1 und VGG2, um eine typische IDQ = 80 mA zu erreichen.
  5. Legen Sie das RF-Signal an.

Die empfohlene Bias-Sequenz während des Herunterfahrens ist wie folgt:

  1. Schalten Sie das RF-Signal aus.
  2. Verringern Sie VGG1 und VGG2 auf -2,0 V, um eine typische IDQ = 0 mA zu erreichen.
  3. Verringern Sie VDD1 und VDD2 auf 0 V.
  4. Erhöhen Sie VGG1 und VGG2 auf 0 V.

Die zuvor aufgeführten Vorspannungsbedingungen (VDD = 3,5 V und IDQ =80 mA) sind die empfohlenen Betriebspunkte, um eine optimale Leistung zu erzielen. Die in diesem Datenblatt verwendeten Daten wurden mit den empfohlenen Vorspannungsbedingungen aufgenommen.

Wenn Sie den HMC902LP3E mit anderen Vorspannungsbedingungen verwenden, kann sich eine andere Leistung ergeben, als im Abschnitt Typische Leistungsmerkmale angegeben ist. Eine Verringerung des VDD-Pegels hat vernachlässigbare Auswirkungen auf die Verstärkung und die NF-Leistung, verringert aber den P1dB. Für Anwendungen, bei denen die P1dB-Anforderungen nicht so streng sind, kann der HMC902LP3E zur Verringerung des Stromverbrauchs heruntergeregelt werden.