Beschreibung

Der SN65LBC175 und der SN75LBC175 sind monolithische, vierfache, differentielle Leitungsempfänger mit 3-State-Ausgängen, die die Anforderungen der EIA-Standards RS-422-A, RS-423-A, RS-485 und der CCITT-Empfehlung V.11 erfüllen. Die Geräte sind für die symmetrische Mehrpunkt-Busübertragung mit Datenraten von bis zu 10 Millionen Bits pro Sekunde und darüber hinaus optimiert. Die Empfänger werden paarweise mit einem Active-High-Enable-Eingang aktiviert. Jeder differentielle Empfängereingang verfügt über eine hohe Impedanz, eine Hysterese für erhöhte Rauschimmunität und eine Empfindlichkeit von ±200 mV über einen Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich von 12 V bis -7 V. Das ausfallsichere Design stellt sicher, dass die Ausgänge immer high sind, wenn die Eingänge nicht angeschlossen sind. Beide Bausteine wurden mit der proprietären LinBiCMOS™-Technologie von TI entwickelt, die eine geringe Leistungsaufnahme, hohe Schaltgeschwindigkeiten und Robustheit ermöglicht.
Diese Bausteine bieten optimale Leistung, wenn sie mit den Vierfach-Leitungstreibern SN75LBC172 oder SN75LBC174 verwendet werden.
Der SN65LBC175 ist im 16-poligen DIP-Gehäuse (N), im Small-Outline-Gehäuse (D) und im breiten Small-Outline-Gehäuse (DW) erhältlich. Der SN75LBC175 ist im 16-poligen DIP (N) und im Small-Outline-Gehäuse (D) erhältlich. Der SN65LBC175 ist für den industriellen Temperaturbereich von -40°C bis 85°C ausgelegt. Der SN75LBC175 ist für den Betrieb in einem kommerziellen Temperaturbereich von 0°C bis 70°C ausgelegt.

 

Eigenschaften

  • Erfüllt oder übertrifft die EIA-Standards RS-422-A, RS-423-A, RS-485 und die CCITT-Empfehlung V.11
  • Entwickelt für den Betrieb mit Impulsdauern von nur 20 ns
  • Entwickelt für die Mehrpunktübertragung auf langen Busleitungen in lauten Umgebungen
  • Eingangsempfindlichkeit: ±200 mV
  • Niedriger Stromverbrauch: maximal 20 mA
  • Ausfallsicheres Design bei offenem Stromkreis
  • Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich von -7 V bis 12 V
  • Pin-kompatibel mit SN75175 und LTC489

Anwendungen

  • Fabrik-Automatisierung
  • Geldautomaten und Bargeldzähler
  • Intelligentes Netz
  • AC- und Servomotorantriebe

Vorsicht bei elektrostatischer Entladung

Dieser integrierte Schaltkreis kann durch ESD beschädigt werden. Texas Instruments empfiehlt, alle integrierten Schaltkreise mit den entsprechenden Vorsichtsmaßnahmen zu behandeln. Die Nichtbeachtung der richtigen Handhabungs- und Installationsverfahren kann zu Schäden führen. ESD-Schäden können von geringfügigen Leistungseinbußen bis hin zum vollständigen Ausfall des Geräts reichen. Integrierte Präzisionsschaltungen sind unter Umständen anfälliger für Schäden, da sehr kleine parametrische Änderungen dazu führen können, dass das Gerät die veröffentlichten Spezifikationen nicht erfüllt.

 

Absolute Maximalwerte: über den Betriebstemperaturbereich unter freiem Himmel (sofern nicht anders angegeben)

MIN MAX UNIT
VCC (siehe (2)) Bereich der Versorgungsspannung -0.3 7 V
VI Eingangsspannung (A oder B Eingänge) ±25 V
VID (siehe (3)) Differenzielle Eingangsspannung ±25 V
Spannungsbereich bei Y, 1/2EN, 3/4EN -0.3 VCC + 0,5 V
Kontinuierliche Gesamtdissipation Siehe Tabelle für die Verlustleistung
TA Betriebstemperaturbereich unter freiem Himmel: SN65LBC175 -40 85 ℃
SN75LBC175 0 70 ℃
Testen Sie Temperaturbereich für die Lagerung -65 150 ℃

(1) Belastungen, die über die unter "absolute Höchstwerte" aufgeführten hinausgehen, können das Gerät dauerhaft beschädigen. Es handelt sich hierbei nur um Belastungswerte, und ein funktionaler Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die unter "empfohlene Betriebsbedingungen" angegebenen hinausgehen, wird nicht vorausgesetzt. Wenn Sie das Gerät über einen längeren Zeitraum hinweg absoluten Höchstwerten aussetzen, kann dies die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen.
(2) Alle Spannungswerte beziehen sich auf GND.
(3) Die differentielle Eingangsspannung wird am nicht-invertierenden Eingang in Bezug auf den entsprechenden invertierenden Eingang gemessen.

 

ESD-Bewertungen

WERT UNIT
V (ESD) Elektrostatische Entladung Mensch-Körper-Modell (HBM), gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±1000 V
Modell für geladene Geräte (CDM), gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(2) ±1500
Maschinenmodell (MM) ±200

(1)Das JEDEC-Dokument JEP155 besagt, dass 500-V-HBM eine sichere Herstellung mit einem Standard-ESD-Kontrollprozess ermöglicht.
(2) Das JEDEC-Dokument JEP157 besagt, dass 250-V-CDM eine sichere Herstellung mit einem Standard-ESD-Kontrollprozess ermöglicht. über einen Betriebstemperaturbereich unter freiem Himmel (sofern nicht anders angegeben).

 

TESTKREISLAUF

A. Der Eingangsimpuls wird von einem Generator mit den folgenden Eigenschaften geliefert: PRR = 1 MHz, Tastverhältnis = 50%, t ≤ 6 ns, t ≤ Zo = 50Ω

B. CL umfasst Sonden- und Vorrichtungskapazität.

C. Alle Dioden sind 1N916 oder gleichwertig.