Descripción

Los microcontroladores de 8 bits de la línea de valor STM8S003F3/K3 ofrecen 8 Kbytes de memoria de programa Flash, además de EEPROM de datos real integrada. Se denominan dispositivos de baja densidad en el manual de referencia de la familia de microcontroladores STM8S .

Los dispositivos de la línea de valor STM8S003F3/K3 ofrecen las siguientes ventajas: rendimiento, robustez y coste reducido del sistema.

El rendimiento y la robustez del dispositivo están garantizados por una verdadera EEPROM de datos que admite hasta 100.000 ciclos de escritura/borrado, un núcleo y periféricos avanzados fabricados con una tecnología de vanguardia a una frecuencia de reloj de 16 MHz, E/S robustas, watchdogs independientes con fuente de reloj separada y un sistema de seguridad de reloj.

El coste del sistema se reduce gracias a un alto nivel de integración del sistema con osciladores de reloj internos, watchdog y reinicio por caída de tensión.

 

Unidad central de proceso STM8

El núcleo STM8 de 8 bits está diseñado para ofrecer eficiencia de código y rendimiento.

Contiene seis registros internos directamente direccionables en cada contexto de ejecución, 20 modos de direccionamiento, incluidos direccionamiento indirecto indexado y relativo, y 80 instrucciones.

Arquitectura y registros

  • Arquitectura de Harvard
  • Canalización en 3 etapas
  • Bus de memoria de programa de 32 bits de ancho: la mayoría de las instrucciones se obtienen en un solo ciclo
  • Registros de índice X e Y de 16 bits: permiten modos de direccionamiento indexado con o sin desplazamiento y manipulaciones de datos de tipo lectura-modificación-escritura.
  • Acumulador de 8 bits
  • Contador de programa de 24 bits - Espacio de memoria lineal de 16 Mbytes
  • Puntero de pila de 16 bits - acceso a una pila de 64 K niveles
  • Registro de código de condición de 8 bits - 7 banderas de condición para el resultado de la última instrucción

Dirección

  • 20 modos de direccionamiento
  • Modo de direccionamiento indirecto indexado para tablas de consulta situadas en cualquier lugar del espacio de direcciones.
  • Modo de direccionamiento relativo del puntero de pila para variables locales y paso de parámetros

Conjunto de instrucciones

  • 80 instrucciones con un tamaño medio de instrucción de 2 bytes
  • Funciones estándar de movimiento de datos y lógica/aritmética
  • Multiplicación de 8 bits por 8 bits
  • División de 16 bits entre 8 bits y de 16 bits entre 16 bits
  • Manipulación de bits
  • Transferencia de datos entre la pila y el acumulador (push/pop) con acceso directo a la pila
  • Transferencia de datos mediante los registros X e Y o transferencias directas de memoria a memoria

 

Módulo de interfaz monocable (SWIM) y módulo de depuración (DM)

El módulo de interfaz monocable y el módulo de depuración permiten una depuración en circuito no intrusiva y en tiempo real, así como una rápida programación de la memoria.

NATACIÓN

Módulo de interfaz monocable para acceso directo al módulo de depuración y programación de memoria. La interfaz puede activarse en todos los modos de funcionamiento del dispositivo. La velocidad máxima de transmisión de datos es de 145 byte/ms.

Módulo de depuración

El módulo de depuración no intrusiva ofrece un rendimiento cercano al de un emulador completo. Además de la memoria y los periféricos, también se puede supervisar el funcionamiento de la CPU en tiempo real mediante registros sombra.

  • R/W a RAM y registros periféricos en tiempo real
  • Acceso R/W a todos los recursos bloqueando la CPU
  • Puntos de interrupción en todas las instrucciones de memoria de programa (puntos de interrupción de software)
  • Dos puntos de interrupción avanzados, 23 configuraciones predefinidas

 

Controlador de interrupciones

  • Interrupciones anidadas con tres niveles de prioridad de software
  • 32 vectores de interrupción con prioridad de hardware
  • Hasta 27 interrupciones externas en seis vectores, incluido TLI
  • Interrupciones de trampa y reset

 

Memoria de programa Flash y EEPROM de datos

  • 8 Kbytes de memoria Flash de tensión única para programa Flash
  • 128 bytes de datos verdaderos EEPROM
  • Área de bytes de opciones de usuario

 

Protección contra escritura (WP)

La protección contra escritura de la memoria de programa Flash y la EEPROM de datos se proporciona para evitar la sobreescritura involuntaria de la memoria que podría resultar de un mal funcionamiento del software del usuario.

Existen dos niveles de protección contra escritura. El primer nivel se conoce como MASS (sistema de seguridad de acceso a la memoria). MASS está siempre activado y protege la memoria Flash principal de programa, la EEPROM de datos y los bytes de opción.

Para realizar la programación en aplicación (IAP), esta protección contra escritura puede eliminarse escribiendo una secuencia de teclas MASS en un registro de control. Esto permite a la aplicación modificar el contenido de la memoria de programa principal y de la EEPROM de datos, o reprogramar los bytes de opción del dispositivo.

Se puede activar un segundo nivel de protección contra escritura para proteger aún más un área específica de la memoria conocida como UBC (código de arranque del usuario).