Descripción

Los SN65LBC175 y SN75LBC175 son receptores de línea monolíticos, cuádruples y diferenciales con salidas de 3 estados diseñados para cumplir los requisitos de las normas EIA RS-422-A, RS-423-A, RS-485 y la Recomendación V.11 del CCITT. Los dispositivos están optimizados para la transmisión de bus multipunto equilibrada a velocidades de datos de hasta 10 millones de bits por segundo. Los receptores se habilitan por pares, con una entrada de habilitación activa-alta. Cada entrada de receptor diferencial presenta una alta impedancia, histéresis para aumentar la inmunidad al ruido y una sensibilidad de ±200 mV en un rango de tensión de entrada en modo común de 12 V a -7 V. El diseño a prueba de fallos garantiza que cuando las entradas están en circuito abierto, las salidas siempre son altas. Ambos dispositivos están diseñados con la tecnología LinBiCMOS™ propiedad de TI, que permite un bajo consumo de energía, altas velocidades de conmutación y robustez.
Estos dispositivos ofrecen un rendimiento óptimo cuando se utilizan con los controladores de línea cuádruple SN75LBC172 o SN75LBC174.
El SN65LBC175 está disponible en encapsulado DIP de 16 patillas (N), encapsulado de contorno pequeño (D) y encapsulado de contorno pequeño ancho (DW). El SN75LBC175 está disponible en encapsulado DIP de 16 patillas (N) y encapsulado de contorno pequeño (D). El SN65LBC175 está caracterizado para un rango de temperatura industrial de -40°C a 85°C. El SN75LBC175 está caracterizado para funcionar en el rango de temperatura comercial de 0°C a 70°C.

 

Características

  • Cumple o supera las normas EIA RS-422-A, RS-423-A, RS-485 y la recomendación V.11 del CCITT.
  • Diseñado para funcionar con duraciones de impulso tan cortas como 20 ns
  • Diseñado para la transmisión multipunto en líneas de bus largas en entornos ruidosos
  • Sensibilidad de entrada: ±200 mV
  • Bajo consumo: 20 mA máximo
  • Diseño a prueba de fallos en circuito abierto
  • Tensión de entrada en modo común de -7 V a 12 V
  • Compatible con SN75175 y LTC489

Aplicaciones

  • Automatización de fábricas
  • Cajeros automáticos y cajas
  • Red inteligente
  • Accionamientos de CA y servomotores

Precaución de descarga electrostática

Este circuito integrado puede resultar dañado por ESD. Texas Instruments recomienda que todos los circuitos integrados se manipulen con las precauciones adecuadas. El incumplimiento de los procedimientos adecuados de manipulación e instalación puede causar daños. Los daños por ESD pueden ir desde una sutil degradación del rendimiento hasta el fallo completo del dispositivo. Los circuitos integrados de precisión pueden ser más susceptibles a los daños porque cambios paramétricos muy pequeños pueden hacer que el dispositivo no cumpla con sus especificaciones publicadas.

 

Valores máximos absolutos: en el rango de temperatura de funcionamiento en aire libre (salvo que se indique lo contrario)

MIN MAX UNIDAD
VCC (véase (2)) Tensión de alimentación -0.3 7 V
VI Tensión de entrada (entradas A o B) ±25 V
VID (véase (3)) Tensión de entrada diferencial ±25 V
Rango de tensión en Y, 1/2EN, 3/4EN -0.3 VCC + 0,5 V
Disipación total continua Ver tabla de disipación
TA Temperatura de funcionamiento en aire libre: SN65LBC175 -40 85 ℃
SN75LBC175 0 70 ℃
Pruebas Temperatura de almacenamiento -65 150 ℃

(1) Las tensiones superiores a las indicadas en "valores nominales máximos absolutos" pueden provocar daños permanentes en el aparato. Se trata únicamente de valores nominales de tensión, y no está implícito el funcionamiento del dispositivo en estas condiciones o en cualquier otra más allá de las indicadas en "condiciones de funcionamiento recomendadas". La exposición a las condiciones máximas absolutas durante periodos prolongados puede afectar a la fiabilidad del dispositivo.
(2) Todos los valores de tensión se refieren a GND.
(3) La tensión diferencial de entrada se mide en la entrada no inversora con respecto a la entrada inversora correspondiente.

 

Clasificaciones ESD

VALOR UNIDAD
V (ESD) Descarga electrostática Modelo de cuerpo humano (HBM), según ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±1000 V
Modelo de dispositivo cargado (CDM), según ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(2) ±1500
Modelo de máquina (MM) ±200

(1)El documento JEP155 del JEDEC afirma que el HBM de 500 V permite una fabricación segura con un proceso de control ESD estándar.
(2) El documento JEDEC JEP157 establece que 250-V CDM permite una fabricación segura con un proceso de control ESD estándar. en un rango de temperatura de funcionamiento en aire libre (a menos que se indique lo contrario).

 

CIRCUITO DE PRUEBA

A. El impulso de entrada es suministrado por un generador con las siguientes características: PRR = 1 MHz, ciclo de trabajo = 50%, t ≤ 6 ns, t ≤ Zo = 50Ω

B. CL incluye capacitancia de la sonda y la plantilla.

C. Todos los diodos son 1N916 o equivalentes.