Descripción:

El ESD5481 está diseñado para proteger los componentes sensibles a la tensión contra ESD. Su excelente capacidad de sujeción, bajas fugas y rápido tiempo de respuesta proporcionan la mejor protección de su clase en diseños expuestos a ESD. Debido a su pequeño tamaño, es adecuado para su uso en teléfonos móviles, reproductores MP3, cámaras digitales y muchas otras aplicaciones portátiles en las que el espacio de la placa es un bien escaso.

 

Características：

-Baja capacitancia 15 pF
- Baja tensión de apriete
- Dimensiones del contorno del cuerpo pequeño: 0,60 mm x 0,30 mm
- Altura baja del cuerpo: 0,3 mm
- Tensión de desconexión: 5,0 V
- Baja fuga
- El tiempo de respuesta es < 1 ns
- Protección ESD de nivel 4 IEC61000-4-2
- Protección EFT de nivel 4 IEC61000-4-4
- Estos dispositivos no contienen Pb, halógenos ni BFR y cumplen la directiva RoHS.

Características mecánicas
POSICIÓN DE MONTAJE: Cualquiera
TEMPERATURA MÁXIMA DE REFLUJO: 260°C
El dispositivo cumple los requisitos MSL 1

DIAGRAMA DE MARCADO :AM

 

Aplicaciones:

Adecuado para teléfonos móviles, reproductores MP3, cámaras digitales y muchas otras aplicaciones portátiles en las que el espacio de la placa es muy valioso.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

(TA = 25°C a menos que se indique lo contrario)

Símbolo Parámetro
IPP Corriente de impulso pico inversa máxima
VC Tensión de bloqueo @ IPP
VRWM Tensión inversa pico de trabajo
IR Corriente de fuga inversa máxima @ VRWM
VBR Tensión de ruptura @ IT
TI Corriente de prueba
RDYN Resistencia dinámica

*Véase la Nota de Aplicación AND8308/D para explicaciones detalladas de los parámetros de la hoja de datos.

ANSI/ESD STM5.5.1 - Pruebas de sensibilidad a las descargas electrostáticas utilizando el modelo de pulso de línea de transmisión (TLP). Condiciones TLP: Z0 = 50 , tp = 100 ns, tr = 4 ns, ventana de promediado; t1 = 30 ns a t2 = 60 ns.

 

Sujeción de tensión ESD

Para los elementos de circuito sensibles, es importante limitar la tensión a la que estará expuesto un circuito integrado durante un evento de ESD a la tensión más baja posible. El voltaje de sujeción ESD es la caída de voltaje a través del diodo de protección ESD durante un evento ESD según la forma de onda IEC61000-4-2. onsemi ha desarrollado una forma de examinar la forma de onda de tensión completa a través del diodo de protección ESD en el dominio de tiempo de un impulso ESD en forma de una captura de pantalla de osciloscopio, que se puede encontrar en las hojas de datos de todos los diodos de protección ESD. Para obtener más información sobre cómo onsemi crea estas capturas de pantalla y cómo interpretarlas, consulte AND8307/D.

NOTA: Parámetro TLP: Z0 = 50 , tp = 100 ns, tr = 300 ps, ventana de promediado: t1 = 30 ns a t2 = 60 ns. VIEC es el nivel de tensión equivalente calculado en el pico secundario de la forma de onda IEC 61000-4-2 a t = 30 ns con 2 A/kV. Consulte la descripción de TLP más abajo para obtener más información.

 

Medición de pulsos en la línea de transmisión (TLP)

El pulso de línea de transmisión (TLP) proporciona curvas de corriente frente a tensión (I-V) en las que cada punto de datos se obtiene a partir de un pulso rectangular de 100 ns de longitud de una línea de transmisión cargada. En la Figura 7 se muestra un esquema simplificado de un sistema TLP típico. Las curvas I-V TLP de los dispositivos de protección ESD demuestran con precisión la capacidad ESD del producto porque los niveles de corriente de 10 amperios y la escala temporal de menos de 100 ns coinciden con los de un evento ESD. Esto se ilustra en la figura 8, en la que se compara una forma de onda de corriente IEC 61000-4-2 de 8 kV con pulsos de corriente TLP de 8 A y 16 A. Una curva I-V TLP muestra la tensión a la que se enciende el dispositivo, así como la tensión de bloqueo del dispositivo en un intervalo de niveles de corriente. Para obtener más información sobre las mediciones TLP y cómo interpretarlas, consulte AND9007/D.