Description :
Le produit 10M08SCM153I7G appartient à la série MAX ® 10 FPGA d'INTEL.
Afin d'obtenir une faible consommation d'énergie statique, l'architecture structurelle centrale de cette série adopte une architecture à faible consommation d'énergie statique, basée sur une technologie de mémoire flash optimisée de 55 nanomètres.
Le produit est flexible et intégré, avec un seul dispositif intégrant une mémoire flash non volatile, des dispositifs logiques programmables (PLD), une mémoire vive (RAM), un traitement du signal numérique (DSP), une interface mémoire externe DDR3, un convertisseur analogique-numérique (ADC), une boucle à verrouillage de phase (PLL) et diverses normes d'E/S dans un petit boîtier de 3 mm x 3 mm.
Grâce à une méthode de configuration simple et rapide, la configuration de l'appareil peut être effectuée en moins de 10 millisecondes sur une mémoire flash sécurisée sur puce.
Les points forts des appareils Intel MAX 10 sont les suivants :
- Double configuration flash stockée en interne
- Mémoire flash utilisateur
- Soutien immédiat
- Convertisseurs analogiques-numériques intégrés (ADC)
- Prise en charge d'un processeur soft core Nios II à puce unique
Applications :
Ces produits constituent la solution idéale pour la gestion des systèmes, l'extension des E/S, les plans de contrôle des communications, les applications industrielles, automobiles et grand public.
Principaux avantages des appareils Intel MAX 10
Configuration simple et rapide:
La mémoire flash sécurisée permet de configurer l'appareil en moins de 10 ms.
Flexibilité et intégration:
Dispositif unique intégrant la logique PLD, la RAM, la mémoire flash, le traitement des signaux numériques (DSP), l'ADC, la boucle à verrouillage de phase (PLL) et les E/S
Petits boîtiers disponibles à partir de 3 mm × 3 mm
Faible consommation
Mode veille - réduction significative de la consommation en veille et reprise en moins de 1 ms
Durée de vie de la batterie plus longue - reprise à partir d'une mise hors tension complète en moins de 10 ms
Cycle de vie estimé à 20 ans
Construit sur la technologie de processus flash intégré de 55 nm de TSMC
Outils de conception à haute productivité
Intel Quartus® Prime Lite edition (licence gratuite)
Outil d'intégration du système Platform Designer (Standard)
DSP Builder pour les FPGA Intel
Nios® II Embedded Design Suite (EDS)
Technologie
Technologie de traitement TSMC Embedded Flash (Flash + SRAM) 55 nm
Emballage
Boîtiers à faible coût et à petit facteur de forme - supportent plusieurs technologies d'emballage et de brochage
Plusieurs densités de dispositifs avec des empreintes de boîtiers compatibles pour une migration transparente entre différentes densités de dispositifs
Conforme à la directive RoHS6
Architecture de base
Table de conversion (LUT) à 4 entrées et élément logique (LE) à registre unique
LEs disposés dans un bloc logique (LAB)
RAM intégrée et mémoire flash utilisateur
Horloges et PLL
Blocs multiplicateurs intégrés
E/S à usage général
Blocs de mémoire interne
Blocs de mémoire M9K-9 en kilobits (Kb)
Blocs cascadables pour créer des fonctions RAM, double port et FIFO
Mémoire flash utilisateur (UFM)
Mémoire non volatile accessible à l'utilisateur
Fréquence de fonctionnement à grande vitesse
Grande taille de mémoire
Conservation élevée des données
Option d'interface multiple
Blocs multiplicateurs intégrés
Un mode multiplicateur 18 × 18 ou deux modes multiplicateurs 9 × 9
Blocs cascadables permettant de créer des filtres, des fonctions arithmétiques et des pipelines de traitement d'images
CDA
Registre d'approximation successive (SAR) de 12 bits
Jusqu'à 17 entrées analogiques
Vitesse cumulée jusqu'à 1 million d'échantillons par seconde ( MSPS)
Capacité de détection de la température intégrée
Réseaux d'horloges
Soutien aux horloges mondiales
Fréquence élevée dans le réseau d'horloge
Oscillateur interne
Oscillateur en anneau interne intégré
PLL
Basé sur l'analogique
Faible gigue
Synthèse d'horloge de haute précision
Compensation du retard de l'horloge
Mise en mémoire tampon sans délai
Plusieurs prises de sortie
E/S à usage général (GPIO)
Prise en charge de plusieurs normes d'E/S
Terminaison sur puce (OCT)
Jusqu'à 720 mégabits par seconde (Mbps) Récepteur et émetteur LVDS
Interface de mémoire externe (EMIF)
Prend en charge les interfaces de mémoire externe jusqu'à 600 Mbps :
DDR3, DDR3L, DDR2, LPDDR2 (sur 10M16, 10M25, 10M40 et 10M50).
SRAM (support matériel uniquement)
Remarque :
EMIF n'est pris en charge que dans certaines combinaisons de densité de périphériques et de boîtiers Intel MAX 10. Pour plus d'informations, reportez-vous au Guide de l'utilisateur de l'interface mémoire externe.
Pour une performance de 600 Mbps, le niveau de vitesse -6 est requis. Les performances varient en fonction du type de périphérique (commercial, industriel ou automobile) et du niveau de vitesse du périphérique (-6 ou -7). Reportez-vous à la fiche technique du FPGA Intel MAX 10 ou à l'estimateur de spécifications de l'interface mémoire externe pour plus de détails.
Configuration
Configuration interne
JTAG
Options de cryptage et de compression Advanced Encryption Standard (AES) 128 bits
Conservation des données de la mémoire flash pendant 20 ans à 85 °C
Schémas d'alimentation électrique flexibles
Options d'alimentation simple et double
Mise hors tension de la mémoire tampon d'entrée contrôlée dynamiquement
Mode veille pour une réduction dynamique de la consommation d'énergie
Options de fonctionnalités pour les appareils Intel MAX 10
Compact
Dispositifs dont l'architecture de base comporte une image de configuration unique avec capacité d'auto-configuration
Flash
Appareils dont l'architecture de base comprend
Image de double configuration avec capacité d'auto-configuration
Possibilité de mise à jour du système à distance
Initialisation de la mémoire
Analogique
Appareils dont l'architecture de base comprend
Image de double configuration avec capacité d'auto-configuration
Possibilité de mise à jour du système à distance
Initialisation de la mémoire
ADC intégré