CARACTÉRISTIQUES

Plage d'atténuation : Pas de 0,5 dB (LSB) à 31,5 dB ±0,5 dB erreur de pas typique

Faible perte d'insertion : 2,8 dB à 4 GHz

Haute linéarité à VEE = -3 V

Entrée P0,1dB : 22 dBm typique

Entrée IP3 : 45 dBm typique

Puissance d'entrée RF élevée : 25 dBm maximum

Faible phase relative : 30° typique à 6,0 GHz

Fonctionnement en alimentation unique : -3 V à -5 V

Boîtier LFCSP à 16 pattes, 3 mm × 3 mm

 

CANDIDATURES

Infrastructure cellulaire

Radios hyperfréquences et terminaux à très petite ouverture (VSAT)

Matériel d'essai et capteurs

Fréquence intermédiaire (FI) et conceptions RF

Militaire et espace

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Le HMC424ALP3E est un atténuateur numérique à large bande, 6 bits, en arséniure de gallium (GaAs), dans un boîtier de montage en surface sans plomb à faible coût, avec une plage de contrôle de l'atténuation de 31,5 dB par pas de 0,5 dB.

Le HMC424ALP3E offre une excellente précision d'atténuation de ±(0.2 dB + 4% de l'état d'atténuation) et une linéarité d'entrée élevée avec une perte d'insertion typique de moins de 4 dB sur la gamme de fréquences spécifiée de 0.1 GHz à 13.0 GHz. Les valeurs de bit de l'atténuateur sont de 0,5 dB (LSB), 1 dB, 2 dB, 4 dB, 8 dB et 16 dB pour une atténuation totale de 31,5 dB avec une erreur de pas typique de ±0,5 dB.

L'appareil permet à l'utilisateur de programmer l'état d'atténuation via six entrées de commande parallèles commutées entre 0 V et VEE.

Le HMC424ALP3E fonctionne avec une seule tension d'alimentation négative de -3 V à -5 V, et nécessite un décaleur de niveau externe pour une interface CMOS/transistor à logique de transistor (TTL).

Le HMC424ALP3E se présente sous la forme d'un boîtier compact de 3 mm × 3 mm à 16 pattes (LFCSP), conforme à la directive RoHS.

 

THÉORIE DU FONCTIONNEMENT

Le HMC424ALP3E intègre une matrice d'atténuation de 6 bits qui offre une plage d'atténuation de 31,5 dB par pas de 0,5 dB. L'état de l'atténuation est modifié directement par les entrées de tension de contrôle parallèles (V1 à V6).

Le HMC424ALP3E permet à l'utilisateur de programmer l'état d'atténuation via six entrées de contrôle parallèles basculant entre 0 V et VEE. Lors de l'interfaçage avec une interface TTL/CMOS, un décalage de niveau externe est nécessaire. Par exemple, un simple pilote utilisant des circuits intégrés logiques standard permet une commutation rapide tout en utilisant un courant continu minimal. La résistance en série est recommandée pour supprimer les signaux RF indésirables à l'entrée des lignes de commande V1 à V6.

ALIMENTATION ÉLECTRIQUE

Le HMC424ALP3E a besoin d'une seule tension continue appliquée à l'entrée de l'appareil.

VEE. La séquence idéale de mise sous tension est la suivante :

1. connecter la référence de masse.

2. appliquer une tension d'alimentation à la broche VEE.

3. mettre sous tension les entrées de commande numérique. L'ordre relatif des entrées de commande numérique n'est pas important.

4. appliquer un signal d'entrée RF à RFIN.

ENTRÉE ET SORTIE RF

L'atténuateur du HMC424ALP3E est bidirectionnel. Les broches RFIN et RFOUT sont interchangeables en tant que ports d'entrée et de sortie RF. L'atténuateur est adapté en interne à 50 Ω à l'entrée et à la sortie. Par conséquent, aucun composant d'adaptation externe n'est nécessaire.

Les broches d'entrée et de sortie RF du HMC424ALP3E sont polarisées en courant continu interne à 0 V. Par conséquent, elles nécessitent des condensateurs de blocage en courant continu externes si le potentiel de la ligne RF n'est pas égal à 0 V. Sélectionnez la valeur de ces condensateurs de blocage en courant continu en fonction de la fréquence de fonctionnement minimale. Utilisez des condensateurs de plus grande valeur pour étendre le fonctionnement à des fréquences plus basses.

 

INFORMATIONS SUR LES APPLICATIONS

COMITÉ D'ÉVALUATION

Le HMC424ALP3E utilise une carte d'évaluation à 4 couches. L'épaisseur du cuivre est de 0,5 oz (0,7 mil) sur chaque couche. Le matériau diélectrique supérieur est du RO4350 de Rogers de 10 mils pour des performances optimales à haute fréquence, tandis que les matériaux diélectriques intermédiaires et inférieurs sont des matériaux de type FR4 pour obtenir une épaisseur totale de 62 mils. Les traces RF sont acheminées sur la couche de cuivre supérieure, et la couche inférieure est un plan mis à la terre qui fournit une masse solide pour les lignes de transmission RF. Les lignes de transmission RF sont conçues en utilisant un modèle de guide d'ondes coplanaire (CPWG) avec une largeur de 16 mil et un espacement de masse de 13 mil pour avoir une impédance caractéristique de 50 Ω. Pour améliorer la mise à la terre RF et thermique, autant de vias traversants plaqués que possible sont disposés autour des lignes de transmission et sous la pastille exposée du boîtier.