説明

製品 10M08SCM153I7G は、INTEL の MAX ® 10 FPGA シリーズに属します。
低静的消費電力を実現するため、本シリーズのコア構造アーキテクチャは、最適化された55ナノメートル・フラッシュ・メモリー技術に基づく低静的消費電力アーキテクチャを採用しています。
この製品は柔軟性と統合性を備えており、1つのデバイスに不揮発性フラッシュ・メモリ、プログラマブル・ロジック・デバイス（PLD）、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、デジタル信号処理（DSP）、DDR3外部メモリ・インターフェース、アナログ・デジタル・コンバータ（ADC）、フェーズ・ロック・ループ（PLL）、各種I/O規格を3mm x 3mmの小型パッケージに集積している。
シンプルで迅速なコンフィギュレーション方法により、デバイスのコンフィギュレーションは、セキュアなオンチップ・フラッシュ・メモリ上で、10ミリ秒未満で完了する。

インテル MAX 10デバイスのハイライトは以下の通り：
- 内部に保存されたデュアル・コンフィギュレーション・フラッシュ
- ユーザーフラッシュメモリ
- 即時サポート
- 内蔵アナログ・デジタル・コンバータ（ADC）
- シングルチップNios IIソフトコア・プロセッサ対応

 

アプリケーション

本製品は、システム管理、I/O拡張、通信制御プレーン、産業用、車載用、民生用アプリケーションに最適なソリューションです。

 

インテル MAX 10 デバイスの主な利点

シンプルで迅速な設定：。
セキュアなオンダイ・フラッシュ・メモリにより、10ms未満でデバイスのコンフィギュレーションが可能

柔軟性と統合性
PLDロジック、RAM、フラッシュ・メモリ、デジタル信号処理（DSP）、ADC、フェーズ・ロック・ループ（PLL）、I/Oを統合したシングル・デバイス
小型パッケージは3mm×3mmから

低電力

スリープモード-待機電力を大幅に削減し、1ms未満で復帰

フルパワーオフからの電池寿命が10ms以下と長い

20年間の推定ライフサイクル

TSMCの55nm組み込みフラッシュ・プロセス技術に基づく

生産性の高い設計ツール

インテル Quartus® Prime Lite エディション（無償ライセンス）

Platform Designer（スタンダード）システム統合ツール

インテルFPGA用DSPビルダー

Nios® IIエンベデッド・デザイン・スイート（EDS）

テクノロジー

55 nm TSMC Embedded Flash (Flash + SRAM) プロセス技術

パッケージング

低コスト、小型フォーム・ファクタ・パッケージ-複数のパッケージング技術とピン・ピッチをサポート

互換性のあるパッケージ・フットプリントを備えた複数のデバイス・デンシティにより、異なるデバイス・デンシティ間でシームレスな移行が可能

RoHS6準拠

コア・アーキテクチャ

4入力ルックアップテーブル（LUT）およびシングル・レジスタ・ロジック・エレメント（LE）

ロジック・アレイ・ブロック（LAB）に配置されたLE

内蔵RAMとユーザー・フラッシュ・メモリー

クロックとPLL

組み込み乗算器ブロック

汎用I/O

内部メモリー・ブロック

M9K-9キロビット（Kb）メモリー・ブロック

カスケード可能なブロックにより、RAM、デュアルポート、FIFO機能を実現

ユーザーフラッシュメモリ（UFM）

ユーザーアクセス可能な不揮発性ストレージ

高速動作周波数

大容量メモリ

高いデータ保持率

複数のインターフェース・オプション

組み込み乗算器ブロック

18×18または9×9のマルチプライヤーモード2つ

フィルタ、演算関数、画像処理パイプラインの作成が可能なカスケード可能ブロック
アナログデジタル変換器

12ビット逐次近似レジスタ（SAR）タイプ

最大17のアナログ入力

最大100万サンプル/秒（MSPS）の累積速度

統合された温度検知機能
クロック・ネットワーク

グローバルクロック対応

クロックネットワークの高速周波数
内部発振器

内蔵リングオシレーター

PLL

アナログ・ベース

低ジッター

高精度クロック合成

クロック遅延補償

ゼロ遅延バッファリング

複数の出力タップ
汎用I/O (GPIO)

複数のI/O規格に対応

オンチップ・ターミネーション（OCT）

最大720メガビット/秒（Mbps）のLVDSレシーバーおよびトランスミッター
外部メモリ・インターフェース（EMIF）

最大600Mbpsの外部メモリ・インターフェースをサポート：

DDR3、DDR3L、DDR2、LPDDR2（10M16、10M25、10M40、10M50の場合。）

SRAM（ハードウェアサポートのみ）

注：

EMIF は、一部のインテル MAX 10 デバイスの集積度とパッケージの組み合わせでのみサポートされています。詳細については、『External Memory Interface User Guide』を参照してください。

600 Mbps の性能を得るには、-6 のデバイス・スピード・グレードが必要です。性能は、デバ イ ス グレード( コマーシャル、インダストリアル、オートモーテ ィブ) およびデバ イ ス スピード グレード(-6 または-7) に よ っ て異な り ます。詳細は、『Intel MAX 10 FPGA Device Datasheet』または『External Memory Interface Spec Estimator』を参照してください。

構成

内部構成

JTAG

AES（Advanced Encryption Standard）128ビット暗号化および圧縮オプション

フラッシュ・メモリのデータ保持は85 °Cで20年

柔軟な電力供給方式

シングルおよびデュアル電源デバイス・オプション

ダイナミック制御による入力バッファーのパワーダウン

ダイナミックな電力削減のためのスリープモード

 

インテル MAX 10 デバイスの機能オプション

コンパクト

自己コンフィギュレーション機能を備えた単一コンフィギュレーション・イメージを特徴とするコア・アーキテクチャを備えたデバイス

フラッシュ

コア・アーキテクチャを特徴とするデバイス：

セルフ・コンフィギュレーション機能を備えたデュアル・コンフィギュレーション・イメージ

リモート・システム・アップグレード機能

メモリの初期化

アナログ

コア・アーキテクチャを特徴とするデバイス：

セルフ・コンフィギュレーション機能を備えたデュアル・コンフィギュレーション・イメージ

リモート・システム・アップグレード機能

メモリの初期化

統合ADC