Описание:

ESD5481 предназначен для защиты чувствительных к напряжению компонентов от электростатического разряда. Отличная способность зажима, низкий уровень утечки и быстрое время отклика обеспечивают лучшую в своем классе защиту конструкций, подвергающихся воздействию ESD. Благодаря своим небольшим размерам он подходит для использования в сотовых телефонах, MP3-плеерах, цифровых камерах и многих других портативных приложениях, где место на плате ограничено.

 

Характеристики：

-Низкая емкость 15 пФ
- Низкое напряжение зажима
- Размеры контура малого корпуса: 0,60 мм x 0,30 мм
- Низкая высота корпуса: 0,3 мм
- Напряжение отключения: 5,0 В
- Низкая утечка
- Время отклика < 1 нс
- IEC61000-4-2 Уровень 4 Защита от электростатического разряда
- IEC61000-4-4 Уровень 4 Защита от электромагнитного излучения
- Эти устройства не содержат Pb, галогенов/БФР и соответствуют требованиям RoHS.

Механические характеристики
Монтажное положение: любое
КВАЛИФИЦИРОВАННАЯ МАКСИМАЛЬНАЯ ТЕМПЕРАТУРА РАСПЛАВЛЕНИЯ: 260°C
Устройство соответствует требованиям MSL 1

СХЕМА МАРКИРОВКИ :AM

 

Приложения:

Подходит для сотовых телефонов, MP3-плееров, цифровых камер и многих других портативных приложений, где место на плате очень ценно.

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

(TA = 25°C, если не указано иное)

Символ Параметр
IPP Максимальный обратный пиковый импульсный ток
ВК Напряжение зажима при IPP
VRWM Рабочее пиковое обратное напряжение
ИК Максимальный обратный ток утечки при VRWM
VBR Напряжение пробоя @ IT
IT Тестовый ток
RDYN Динамическое сопротивление

*Подробные пояснения к параметрам даташита см. в Application Note AND8308/D.

ANSI/ESD STM5.5.1 - Испытание чувствительности к электростатическому разряду с использованием модели импульса линии передачи (TLP). Условия TLP: Z0 = 50, tp = 100 нс, tr = 4 нс, окно усреднения; t1 = 30 нс - t2 = 60 нс.

 

Зажим напряжения ESD

Для чувствительных элементов схемы важно ограничить напряжение, которому подвергается микросхема во время ESD-воздействия, до как можно более низкого. Напряжение ESD-зажима - это падение напряжения на диоде ESD-защиты во время ESD-события в соответствии с формой волны IEC61000-4-2. Поскольку стандарт IEC61000-4-2 был написан как спецификация "прошел/не прошел" для больших систем, таких как сотовые телефоны или ноутбуки, в нем нет четкого определения того, как указывать напряжение фиксации на уровне устройства. Компания onsemi разработала способ исследования всей формы волны напряжения на диоде защиты от электростатического разряда во временной области импульса электростатического разряда в виде снимка экрана осциллографа, который можно найти в технических описаниях всех диодов защиты от электростатического разряда. Более подробную информацию о том, как компания Onsemi создает эти скриншоты и как их интерпретировать, см. в AND8307/D.

ПРИМЕЧАНИЕ: параметр TLP: Z0 = 50 , tp = 100 нс, tr = 300 пс, окно усреднения: t1 = 30 нс - t2 = 60 нс. VIEC - эквивалентный уровень напряжения, рассчитанный на вторичном пике формы волны IEC 61000-4-2 при t = 30 нс с напряжением 2 А/кВ. Дополнительную информацию см. в описании TLP ниже.

 

Измерение импульсов в линии передачи (TLP)

Система Transmission Line Pulse (TLP) предоставляет кривые зависимости тока от напряжения (I-V), в которых каждая точка данных получена в результате прямоугольного импульса длиной 100 нс от заряженной линии передачи. Упрощенная схема типичной системы TLP показана на рисунке 7. Кривые TLP I-V устройств защиты от электростатических разрядов точно демонстрируют способность изделия к электростатическому разряду, поскольку уровни тока в 10 десятков ампер и временной масштаб в 100 нс соответствуют уровню электростатического разряда. Это показано на рис. 8, где форма волны тока 8 кВ по IEC 61000-4-2 сравнивается с импульсами тока TLP при 8 А и 16 А. Кривая TLP I-V показывает напряжение, при котором устройство включается, а также то, насколько хорошо устройство фиксирует напряжение в диапазоне уровней тока. Более подробную информацию об измерениях TLP и их интерпретации см. в AND9007/D.