Описание:

S29GL01G/512/256/128S - это флэш-память MIRRORBIT™ Eclipse, изготовленная по 65-нм технологическому процессу. Эти устройства обеспечивают быстрое время доступа к странице - 15 нс и соответствующее время случайного доступа - 90 нс. Они оснащены буфером записи, который позволяет программировать максимум 256 слов/512 байт за одну операцию, что позволяет увеличить эффективное время программирования по сравнению со стандартными алгоритмами программирования. Это делает данные устройства идеальными для современных встраиваемых приложений, требующих большей плотности, высокой производительности и низкого энергопотребления.

 

Особенности:

  • Ядро CMOS 3,0 В с универсальными входами/выходами
  • Технология MIRRORBIT™ Eclipse 65 нм
  • Единое питание (VCC) для чтения / программирования / стирания (2,7-3,6 В)
  • Универсальная функция ввода/вывода

- Широкий диапазон напряжений ввода/вывода (VIO): 1,65 В - VCC

  • Шина данных ×16
  • Асинхронное чтение 32-байтных страниц
  • 512-байтовый буфер программирования

- Программирование в кратных страницах, максимум 512 байт

  • Опции для одного слова и нескольких программ для одного слова
  • Автоматическая проверка и исправление ошибок (ECC) - внутренняя аппаратная ECC с однобитной коррекцией ошибок
  • Стирание сектора

- Равномерные 128-килобайтные сектора

  • Команды приостановки и возобновления для операций программирования и стирания
  • Регистр состояния, опрос данных и методы определения состояния устройства по выводам "готов/занят
  • Усовершенствованная защита сектора (ASP)

- Методы энергозависимой и энергонезависимой защиты для каждого сектора

  • Отдельный 1024-байтный массив одноразовых программ (OTP) с двумя блокируемыми областями
  • Таблица параметров общего интерфейса флэш-памяти (CFI)
  • Диапазон температур / класс

- Промышленные (от -40°C до +85°C)

  • 100 000 циклов программирования / стирания
  • 20 лет хранения данных
  • Варианты упаковки

- 56-контактный TSOP

 

Обзор продукции:

Семейство GL-S включает в себя устройства флэш-памяти объемом от 128 Мб до 1 Гб, с ядром 3,0 В, универсальным вводом/выводом, энергонезависимые. Эти устройства имеют шину данных шириной 16 бит (слово) и используют только адреса на границе слова. Все операции чтения обеспечивают 16 бит данных в каждом цикле передачи данных по шине. Все операции записи забирают 16 бит данных из каждого цикла передачи данных по шине.

Семейство GL-S сочетает в себе лучшие характеристики флэш-памяти eXecute-In-Place (XIP) и флэш-памяти для хранения данных. Это семейство обладает быстрым произвольным доступом флэш-памяти XIP, а также высокой плотностью и высокой скоростью программирования флэш-памяти для хранения данных.

Доступ на чтение к любому случайному месту занимает от 90 до 120 нс в зависимости от плотности устройства и напряжения питания ввода-вывода. При каждом случайном (начальном) доступе считывается вся выровненная по 32 байтам группа данных, называемая страницей. Другие слова в пределах той же страницы могут быть прочитаны путем изменения только младших 4 бит адреса слова. Каждый доступ к одной и той же странице занимает от 15 до 30 нс. Это называется страничным режимом чтения. Изменение любого из старших битов адреса слова приводит к выбору другой страницы и началу нового начального доступа. Все доступы к чтению являются асинхронными.

 

Карта адресов S29GL-S:

Логика управления устройством разделена на две параллельно работающие секции - контроллер интерфейса хоста (HIC) и контроллер встроенных алгоритмов (EAC). HIC контролирует уровни сигналов на входах устройства и управляет выходами по мере необходимости для завершения передачи данных при чтении и записи в хост-систему. HIC передает данные из текущей карты адресов при передаче данных на чтение; помещает информацию об адресе и данных при передаче данных на запись в память команд EAC; уведомляет EAC о переключении питания, аппаратном сбросе и передаче данных на запись. После передачи записи EAC ищет в памяти команд законные последовательности команд и выполняет соответствующие встроенные алгоритмы.

Изменение энергонезависимых данных в массиве памяти требует выполнения сложной последовательности операций, которые называются встроенными алгоритмами (EA). Алгоритмы полностью управляются внутренним EAC устройства. Основные алгоритмы выполняют программирование и стирание данных основного массива. Хост-система записывает коды команд в адресное пространство флэш-устройства. EAC получает команды, выполняет все необходимые действия для завершения команды и предоставляет информацию о состоянии во время выполнения EA.